企业简介
华灿光电股份有限公司 main business:半导体材料与器件、电子材料与器件、半导体照明设备、蓝宝石晶体生长及蓝宝石深加工产品的设计、制造、销售、经营租赁；自有产品及原材料的进出口（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请；经营范围不含国家禁止及限制外商投资企业经营的项目；依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 武汉市东湖开发区滨湖路8号.
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华灿光电股份有限公司的工商信息
- 420100000048971
- 914201007819530811
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(台港澳与境内合资、上市)
- 2005年11月08日
- 俞信华
- 108142.196800
- 2005年11月08日 至 永久
- 武汉东湖新技术开发区市场监督管理局
- 2018年05月31日
- 武汉市东湖开发区滨湖路8号
- 半导体材料与器件、电子材料与器件、半导体照明设备、蓝宝石晶体生长及蓝宝石深加工产品的设计、制造、销售、经营租赁；集成电路和传感器的研究开发、加工制造，并提供技术服务；自有产品及原材料的进出口。（上述经营范围不涉及外商投资准入特别管理措施；依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
华灿光电股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 华灿光电股份有限公司 | www.hcsemitek.com |
| 网站 | 华灿光电股份有限公司 | www.hcsemitek.com/ |
华灿光电股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 5935726 |  |
HC SEMITEK | 2007-03-09 | 电子公告牌；灯箱；光通讯设备；导航仪器；半导体；幻灯片放映设备；激光导向仪；光学灯；硅外延片；半导体器件；集成电路块；照明设备用镇流器；荧光屏；整流用电力装置；工业用放射屏幕；照明用电池；幻灯片(照相)；条码读出器；复印机(光电、静电、热)；铁路交通安全设施 | 查看详情 |
| 2 | 5935724 |  |
华灿 | 2007-03-09 | 灯；车辆照明设备；暖器；水消毒器；微波炉(厨房用具)；气体净化装置；气体发生器(设备)；浴室装置；太阳能热水器；气体打火机 | 查看详情 |
| 3 | 5935729 |  |
图形 | 2007-03-09 | 电芯机；制灯泡机械；纯碱设备；蒸汽机；电子工业设备；气体分离设备；制氧、制氮设备；印刷电路板处理机；风力动力设备 | 查看详情 |
| 4 | 5935716 |  |
华灿 | 2007-03-09 | 照明用油脂；照明燃料；照明用气体；蜡烛；夜间照明物(蜡烛)；除尘制剂；燃料；燃料油；电能；润滑油 | 查看详情 |
| 5 | 5935721 |  |
图形 | 2007-03-09 | 灯；车辆照明设备；暖器；水消毒器；微波炉(厨房用具)；气体净化装置；气体发生器(设备)；浴室装置；太阳能热水器；气体打火机 | 查看详情 |
| 6 | 5935723 |  |
SEMITEK | 2007-03-09 | 灯；车辆照明设备；暖器；水消毒器；微波炉(厨房用具)；气体净化装置；气体发生器(设备)；浴室装置；太阳能热水器；气体打火机 | 查看详情 |
| 7 | 5935719 |  |
SEMITEK | 2007-03-09 | 氨；碳化物；可裂变的化学元素；荧光粉；科学用化学制剂(非医用和兽医用)；光谱感光板；三甲酚磷酸脂；淬火剂；工业用粘合剂 | 查看详情 |
| 8 | 5935732 |  |
HC SEMITEK | 2007-03-09 | 玩具；玩具车；万花筒；体育活动用球；标枪；锻炼身体器械；射箭用器；圣诞树用烛台；钓鱼杆；礼花玩具(非燃放型礼花) | 查看详情 |
| 9 | 5935731 |  |
图形 | 2007-03-09 | 玩具；玩具车；万花筒；体育活动用球；标枪；锻炼身体器械；射箭用器；圣诞树用烛台；钓鱼杆；礼花玩具(非燃放型礼花) | 查看详情 |
| 10 | 5935715 |  |
SEMITEK | 2007-03-09 | 照明用油脂；照明燃料；照明用气体；蜡烛；夜间照明物(蜡烛)；除尘制剂；燃料；燃料油；电能；润滑油 | 查看详情 |
| 11 | 5935720 |  |
华灿 | 2007-03-09 | 氨；碳化物；可裂变的化学元素；荧光粉；科学用化学制剂(非医用和兽医用)；光谱感光板；三甲酚磷酸脂；淬火剂；工业用粘合剂 | 查看详情 |
| 12 | 5935713 |  |
图形 | 2007-03-09 | 照明用油脂；照明燃料；照明用气体；蜡烛；夜间照明物(蜡烛)；除尘制剂；燃料；燃料油；电能 | 查看详情 |
| 13 | 5935712 |  |
华灿 | 2007-03-09 | 电芯机；制灯泡机械；纯碱设备；蒸汽机；电子工业设备；气体分离设备；制氧、制氮设备；包装机；印刷电路板处理机；风力动力设备 | 查看详情 |
| 14 | 5935725 |  |
图形 | 2007-03-09 | 电子公告牌；灯箱；光通讯设备；导航仪器；半导体；幻灯片放映设备；激光导向仪；光学灯；硅外延片；半导体器件；集成电路块；照明设备用镇流器；荧光屏；整流用电力装置；工业用放射屏幕；照明用电池；幻灯片(照相)；条码读出器；复印机(光电、静电、热)；铁路交通安全设施 | 查看详情 |
| 15 | 5935728 |  |
华灿 | 2007-03-09 | 电子公告牌；灯箱；半导体；幻灯片放映设备；激光导向仪；光学灯；硅外延片；集成电路块；荧光屏；整流用电力装置；工业用放射屏幕；照明用电池；幻灯片(照相)；条码读出器；复印机(光电、静电、热)；铁路交通安全设施 | 查看详情 |
| 16 | 5935718 |  |
HC SEMITEK | 2007-03-09 | 氨；碳化物；可裂变的化学元素；荧光粉；科学用化学制剂(非医用和兽医用)；光谱感光板；三甲酚磷酸脂；淬火剂；工业用粘合剂 | 查看详情 |
| 17 | 5935733 |  |
SEMITEK | 2007-03-09 | 玩具；玩具车；万花筒；体育活动用球；标枪；锻炼身体器械；射箭用器；圣诞树用烛台；钓鱼杆；礼花玩具(非燃放型礼花) | 查看详情 |
| 18 | 5935730 |  |
HC SEMITEK | 2007-03-09 | 电芯机；制灯泡机械；纯碱设备；蒸汽机；电子工业设备；气体分离设备；制氧、制氮设备；包装机；印刷电路板处理机；风力动力设备 | 查看详情 |
| 19 | 5935717 |  |
众 | 2007-03-09 | 氨；碳化物；可裂变的化学元素；荧光粉；光谱感光板；三甲酚磷酸脂；淬火剂；工业用粘合剂 | 查看详情 |
| 20 | 5935722 |  |
HC SEMITEK | 2007-03-09 | 灯；车辆照明设备；暖器；水消毒器；微波炉(厨房用具)；气体净化装置；气体发生器(设备)；浴室装置；太阳能热水器；气体打火机 | 查看详情 |
| 21 | 5935734 |  |
华灿 | 2007-03-09 | 玩具；玩具车；万花筒；体育活动用球；标枪；锻炼身体器械；射箭用器；圣诞树用烛台；钓鱼杆；礼花玩具(非燃放型礼花) | 查看详情 |
华灿光电股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102368518B | 一种简易纳米级PSS衬底制备方法 | 2016.12.14 | 本发明公开一种简易纳米级PSS衬底制备方法，在蓝宝石衬底上沉积一层SiO<sub>2</sub>膜， |
| 2 | CN105720142A | 一种发光二极管芯片的制备方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体制造领域。所述制备方法包括：在衬底上依次生长N型 |
| 3 | CN105957928A | 一种谐振腔发光二极管及其制造方法 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种谐振腔发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述谐振腔发光二极管包括衬底、以及 |
| 4 | CN105720143A | 一种发光二极管芯片的制作方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底的第一表面上依 |
| 5 | CN103515495B | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一衬底；在衬底上 |
| 6 | CN103361719B | 一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底；在衬底 |
| 7 | CN105826220A | 一种干法刻蚀设备 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种干法刻蚀设备，属于半导体技术领域。所述干法刻蚀设备包括上电极、下电极、倒挂式基座、升 |
| 8 | CN103337573B | 半导体发光二极管的外延片及其制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种半导体发光二极管的外延片，涉及半导体技术领域。该外延片包括衬底和依次在衬底上生长的低 |
| 9 | CN104167475B | 一种发光二极管外延片及其制作方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次 |
| 10 | CN104393148B | 一种白光发光二极管的制作方法及白光发光二极管 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种白光发光二极管的制作方法及白光发光二极管，属于半导体技术领域。所述方法包括：在基板上 |
| 11 | CN104218133B | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管芯片包括：衬底、依次覆 |
| 12 | CN103531684B | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括：衬底、依次层叠在所述衬 |
| 13 | CN104409599B | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管芯片包括：衬底以及依次 |
| 14 | CN103500779B | 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未 |
| 15 | CN104319343B | 一种白光LED的制作方法及白光LED | 2017.03.08 | 本发明公开了一种白光LED的制作方法及白光LED，属于半导体技术领域。所述方法包括：在基板上形成感光 |
| 16 | CN105977355A | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及 |
| 17 | CN205488194U | 一种发光二极管芯片的电极及发光二极管芯片 | 2016.08.17 | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片的电极及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括 |
| 18 | CN103346223B | 一种发光二极管的外延片 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种发光二极管的外延片，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、以及依次层叠在所述衬底 |
| 19 | CN205427171U | 一种发光二极管测试机的校准工具 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种发光二极管测试机的校准工具，属于半导体技术领域。所述校准工具包括管体、以及相对设 |
| 20 | CN105803409A | 一种制备透明导电膜的方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种制备透明导电膜的方法，属于光电材料制备技术领域。所述方法包括：对基底依次进行超声清洗 |
| 21 | CN105762250A | 一种发光二极管及其制作方法 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、设置在衬底的第一 |
| 22 | CN105742418A | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括依次层叠在衬底 |
| 23 | CN105742455A | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型层、 |
| 24 | CN102412351B | 提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法 | 2016.06.22 | 本发明公开一种提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法，该材料依次由蓝宝石衬底层，低温生长的GaN |
| 25 | CN103531683B | 一种氮化镓发光二极管及其制备方法 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种氮化镓发光二极管及其制备方法，属于发光二极管领域。方法包括：提供异质衬底，并以第一温 |
| 26 | CN105679901A | 新型发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种新型发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该外延片包括：衬底，以及依次覆 |
| 27 | CN105679891A | 一种发光二极管芯片的制作方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底的第一表面形成 |
| 28 | CN105679907A | 高亮度发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高亮度发光二极管外延片包括 |
| 29 | CN103035805B | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于二极管技术领域。所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖 |
| 30 | CN102447024B | 一种纳米级PSS衬底制作方法 | 2016.06.01 | 本发明公开一种纳米级PSS衬底制作方法，在蓝宝石衬底上沉积一层SiO<sub>2</sub>膜，在S |
| 31 | CN103035790B | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体发光二极管领域。所述发光二极管外延片从下至上 |
| 32 | CN105633228A | 具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延 |
| 33 | CN105609601A | 具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.05.25 | 本发明公开了一种具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延 |
| 34 | CN105529386A | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括切割后的蓝宝石 |
| 35 | CN103066173B | 一种发光二极管芯片的制备方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的n型 |
| 36 | CN102368519B | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法，发光二极管外延片结构中多量子阱的生长方式采用 |
| 37 | CN103489974B | 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底以及在衬 |
| 38 | CN105514232A | 一种发光二极管外延片、发光二极管及外延片的制作方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种发光二极管外延片、发光二极管及外延片的制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外 |
| 39 | CN105514233A | 高发光效率发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种高发光效率发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高发光效率发光二极管外 |
| 40 | CN105405940A | 具有新型结构的发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.03.16 | 本发明公开了一种具有新型结构的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该具有新型结构的发光 |
| 41 | CN105405947A | 新型发光二极管外延片及其制备方法 | 2016.03.16 | 本发明公开了一种新型发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该新型发光二极管外延片包括：衬 |
| 42 | CN105390577A | 一种发光二极管外延片及其制作方法 | 2016.03.09 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底 |
| 43 | CN103137439B | 一种GaN基外延片衬底的回收方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种GaN基外延片衬底的回收方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：将GaN基外延片放入 |
| 44 | CN105355649A | 一种发光二极管外延片及其制作方法 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及 |
| 45 | CN105355734A | 一种发光二极管外延片及其制作方法 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及 |
| 46 | CN102931306B | 一种发光二极管外延片 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、依次覆盖在所述衬底上第一半导体层、有源层、电子 |
| 47 | CN102820392B | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括衬底层、依次覆盖在衬 |
| 48 | CN103441197B | 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及在衬底 |
| 49 | CN105280768A | 具有高发光效率的外延片生长方法 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种具有高发光效率的外延片生长方法，属于发光二极管领域。该方法包括：提供一衬底；在所述衬 |
| 50 | CN103236480B | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、以及依次层叠 |
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